金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，力拓半导体股份有限公司申请一项名为“金属氧化物半导体控制二极管与其制造方法”的专利，公开号 CN 118841452 A，申请日期为2023年5月。

　　专利摘要显示，一种金属氧化物半导体控制二极管(MCD)包括衬底、外延层、场氧化层、数个植入区、高介电常数栅氧化层以及金属层。外延层位于所述衬底上，场氧化层位于所述外延层上，且所雷火 雷火电竞 app述场氧化层具有数个场氧化层开口。植入区位于所述场氧化层开口内的所述外延层中。高介电常数雷火 雷火电竞 app栅氧化层位于所述场氧化层上并具有数个栅氧化层开口，露出部分植入区。金属层覆盖所述高介电常数栅氧化层与所述栅氧化层开口，以直接接触部分植入区。金属硅化物层位于每个植入区与金属层之间。

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