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台积电申请半导体结构及雷火电竞其形成方法专利提高半导体结构的性能

发布时间:2024-11-23 08:46人气:

  雷火电竞官方网站金融界2024年9月11日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法“,公开号CN6.8,申请日期为2024年5月。

  专利摘要显示,提供了半导体结构及其形成方法。示例性半导体结构包括位于衬底上方的接触焊盘,位于接触焊盘上方的凸块下金属化(UBM)层,位于UBM层上方并且经由UBM层电耦接至接触焊盘的金属柱,以及位于金属柱上的焊料帽。金属柱包括铜,并且铜的(111)晶向的百分比为90%或更大。

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