雷火电竞官方网站金融界2024年9月11日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法“,公开号CN6.8,申请日期为2024年5月。
专利摘要显示,提供了半导体结构及其形成方法。示例性半导体结构包括位于衬底上方的接触焊盘,位于接触焊盘上方的凸块下金属化(UBM)层,位于UBM层上方并且经由UBM层电耦接至接触焊盘的金属柱,以及位于金属柱上的焊料帽。金属柱包括铜,并且铜的(111)晶向的百分比为90%或更大。
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专利摘要显示,提供了半导体结构及其形成方法。示例性半导体结构包括位于衬底上方的接触焊盘,位于接触焊盘上方的凸块下金属化(UBM)层,位于UBM层上方并且经由UBM层电耦接至接触焊盘的金属柱,以及位于金属柱上的焊料帽。金属柱包括铜,并且铜的(111)晶向的百分比为90%或更大。
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