金融界2024年12月10日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 119092462 A，申请日期为 2024年8月。

　　专利摘要显示，本申请提供了一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供衬底，衬底上形成有金属互连结构；于衬底表面以及金属互连结构的侧壁和顶部表面形成缓冲材料层；对缓冲材料层进行自离子注入，使缓冲材料层转变为缓冲层。该半导体结构的制备方法有利于提升半导体结构的稳定性和生产良率。雷火电竞官方网站雷火电竞官方网站